思瑞浦推出多款隔离系列产品并获得客户认可与好评，思瑞浦

思瑞浦秉承独立开发、自主创新的理念，自2019年深耕隔离技术以来，积累了丰富的发明专利，其中基础隔离、传输电路、工艺优化、新型封装等技术发明专利共计9项。截至目前，已推出多款隔离系列产品，获得客户认可与好评。

针对工厂自动化、电力自动化、电机驱动、电源控制、新能源、医疗等应用场景，思瑞浦隔离产品的隔离耐压等级达到5kVrms以上，ESD静电保护达到±8kV， 防闩锁（Latch up）能力高达800mA（高温125℃），性能与可靠性均处于领先。共模瞬态抑制（CMTI）达到200kV/μs，思瑞浦隔离产品的CMTI能力处于国际领先地位。

01

思瑞浦隔离产品特性

思瑞浦隔离系列产品，均采用自主专利的隔离IP，隔离产品具备如下特性：

工作电压范围：2.25V – 5.5V

通讯速率：100Mbps Data Rate

低延时：12ns

耐压能力：5kV RMS （WSOP16）

抗浪涌能力：10kV peak （WSOP16）

共模瞬态抑制能力：±200kV/μs CMTI

宽温度范围：−40°C to +125°C

封装支持：SOP8、WSOP8、SOP16、QSOP16、WSOP16

可靠性防护能力：

±8kV IEC ESD ±800mA Latch up

完整安规认证报告：VDE、UL、TUV、CQC、CSA、CB

02

思瑞浦隔离产品优势

隔离器的核心指标：Breakdown Voltage

击穿电压Breakdown Voltage（BV）是隔离器的核心指标， 思瑞浦的隔离产品Breakdown Voltage达到10kV，处于国内领先水平。

表1：Breakdown Voltage 对比

国际先进的抗冲击保护能力

隔离产品的使用场景比较恶劣，经常会遇到静电和浪涌冲击，对隔离产品的防护能力提出了很高的要求，思瑞浦隔离产品具备±8kV IC ESD和±6kV防浪涌能力（对应±10kV peak），处于国际先进水平。

表2：抗冲击保护能力对比

±200kV/μs国际领先共模瞬态抑制CMTI能力

CMTI即Common Mode Transient Immunity，共模瞬变抗扰度，衡量器件在共模电压瞬变时依然能够正常传输信号的能力，参数值是共模瞬变的最大Slew Rate，反映出隔离产品对共模瞬变干扰的抑制能力。如图1所示，为数字隔离器CMTI测试模型框图。

图1： CMTI测试模型

在电机驱动等典型应用中，使用PWM脉宽控制栅极驱动和MOS FET，后者用来驱动电机。MOS FET等功率器件往往工作在硬开关状态下，若使用普通的硅MOS FET，产生的电压跳变（dV/dt）干扰通常在40kV/μs以内，大多数的隔离产品CMTI都可以满足该需求。而同样参数的碳化硅/氮化镓器件，开关速度更快，特别是下降沿时会更加恶劣，在使用碳化硅MOS FET时，所产生共模干扰的最大下降斜率会达到200kV/μs，因此要求隔离产品具备200kV/μs以上CMTI能力。如图2模拟CMTI下降沿测试电路，图3显示思瑞浦隔离器CMTI达到200kV/us以上，表格3的数据也是基于此条件而得出。

图2：CMTI下降沿测试电路

图3：CMTI下降沿测试波形

表3：CMTI性能对比

CMTI分为静态和动态两种，静态CMTI衡量输入稳定时抗共模电压瞬变干扰的能力，动态CMTI的测试中共模电压瞬变出现在输入信号跳变的边沿处，情况更为恶劣。如果隔离产品的CMTI能力不够，dV/dt干扰会对控制信号造成很大的影响。思瑞浦隔离产品具备 ±200kV/μs的静态CMTI， 动态CMTI也高达±150kV/μs，优于国内外同类产品，处于国际领先水平。

TDDB测试展现高可靠性

经时击穿TDDB（Time dependent dielectric breakdown，）是业界通用的评测栅氧可靠性的实验方法，基于实验数据还可以建立栅氧使用寿命预测模型、栅氧不良品筛选模型等，满足器件的可靠性要求。思瑞浦针对隔离器件建立了高压TDDB实验室，通过高压高温加速，测量大量样品数据，长时间测量的方式严格评测隔离器件TDDB数据。如下TDDB结果表明思瑞浦隔离器件可以稳定工作超过100年。

安规认证是帮助证明了隔离芯片在0时刻的安全等级，并不能证明隔离芯片在10年，甚至20年后的工作状态，而VDE0884-11规范明确要求VIOWM（隔离芯片的工作耐压）必须经过TDDB验证才能标识。因此工程师在选型时隔离芯片时，推荐选择VIOWM 完成TDDB测试的型号。

思瑞浦隔离产品是完全独立开发，并拥有自主专利，具备高隔离电压，高抗冲击能力，相关技术指标处于国内领先、国际先进水平，可以满足大多数工业应用场景的可靠性需求。隔离耐压等级高、静电保护与浪涌防护能力强、±200kV/μs国际领先的CMTI能力，全系列产品经过TDDB严格测试，特别适合各种新能源等应用场景，尤其是满足第三代功率半导体碳化硅/氮化镓的设计需求。应用在工厂自动化、电力自动化、电机驱动、电源控制、新能源、医疗等场景，能保证足够的设计余量，提高系统的鲁棒性。

思瑞浦今年将持续推出更多的隔离系列产品：隔离运放、隔离驱动、隔离电源等，敬请期待！